Rof elektrooptiskais modulators 1550 nm AM sērijas intensitātes modulators 2,5 G

Īss apraksts:

LiNbO3 intensitātes modulators tiek plaši izmantots ātrgaitas optisko sakaru sistēmā, lāzera sensoru un ROF sistēmās, jo tas ir labi elektrooptiskais sniegums. R-AM sērijai, kuras pamatā ir MZ push-pull struktūra un X-cut konstrukcija, ir stabilas fizikālās un ķīmiskās īpašības, kuras var izmantot gan laboratorijas eksperimentos, gan rūpnieciskās sistēmās.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Rofea Optoelectronics piedāvā Optikas un fotonikas Elektrooptisko modulatoru produktus

Produktu etiķetes

Funkcija

* Zems ievietošanas zudums
* Liels joslas platums
* Zems pusviļņa spriegums
* Pielāgošanas iespēja

Elektrooptiskais modulators Elektrooptiskais modulators LiNbO3 intensitātes modulators MZM modulators Mach-Zehnder modulators LiNbO3 modulators litija niobāta modulators

Pieteikums

⚫ ROF sistēmas
⚫ Kvantu atslēgu sadalījums
⚫ Lāzera sensoru sistēmas
⚫ Sānu joslas modulācija

Viļņa garums

⚫ 750 nm

⚫ 850 nm

⚫ 1064 nm

⚫ 1310 nm

⚫ 1550 nm

Joslas platums

⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz

R-AM-15-2,5G

Parametrs				Simbols		Min	Tip	Maks	Vienība
Optiskie parametri
Darbojasviļņa garums				l		1530. gads	1550	1565. gads	nm
Ievietošanas zudums				IL			4	5	dB
Optiskās atgriešanas zudums				ORL				-45	dB
Slēdža izzušanas koeficients @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Dinamiskā izzušanas attiecība				DER			13		dB
Optiskā šķiedra	Ievadeosta					Panda PM Fujikura SM
	izvadeosta					Panda PM Fujikura SM
Optiskās šķiedras saskarne						FC/PC, FC/APC vai lietotāja norādīts
Elektriskie parametri
Darbojasjoslas platums(-3dB)					S₂₁	2.5	3		GHz
Pusviļņu spriegums Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bias			@Bias		6	7	V
Elektriskāalatgriešanās zaudējums					S₁₁		-12	-10	dB
Ievades pretestība			RF		Z_RF	50			W
			Neobjektivitāte		Z_BIAS	1M			W
Elektriskā saskarne						SMA(f)

Limita nosacījumi

Parametrs	Simbols	Vienība	Min	Tip	Maks
Ieejas optiskā jauda	P_in,Maks	dBm			20
Iievades RF jauda		dBm			28
nobīdes spriegums	Vbias	V	-15		15
Darbojastemperatūra	Augšā	℃	-10		60
Uzglabāšanas temperatūra	Tst	℃	-40		85
Mitrums	RH	%	5		90

S21 līkne

&S11 līkne

S21 un s11 līknes

Mehāniskā diagramma

OSTA	Simbols	Piezīme
In	Optiskā ievades ports	PM šķiedra (125 μm/250 μm)
Ārā	Optiskā izvades ports	PM Šķiedra(125 μm/250 μm)
RF	RF ievades ports	SMA(f)/ K(f) / V(f)
Neobjektivitāte	Novirzes kontroles ports	1,2 Neobjektivitāte, 3-PD katods, 4-PD anods

Iepriekšējais: Rof elektrooptiskais modulators 1550 nm AM sērijas augstas izzušanas attiecības intensitātes modulators

Nākamais: Rof elektrooptiskais modulators 1550 nm slāpēšanas nesēja vienas sānu joslas modulators SSB modulators

Rofea Optoelectronics piedāvā komerciālu elektrooptisko modulatoru, fāzes modulatoru, intensitātes modulatoru, fotodetektoru, lāzera gaismas avotu, DFB lāzeru, optisko pastiprinātāju, EDFA, SLD lāzeru, QPSK modulāciju, impulsu lāzeru, gaismas detektoru, līdzsvarotu fotodetektoru, lāzera draiveri produktu līniju. , Optiskās šķiedras pastiprinātājs, Optiskais jaudas mērītājs, Platjoslas lāzers, Noskaņojams lāzers, Optiskais detektors, Lāzera diodes draiveris, Šķiedru pastiprinātājs. Mēs piedāvājam arī daudzus īpašus modulatorus pielāgošanai, piemēram, 1*4 masīva fāzes modulatorus, īpaši zemu Vpi un īpaši augstu izzušanas koeficientu modulatorus, kurus galvenokārt izmanto universitātēs un institūtos.
Ceram, ka mūsu produkti būs noderīgi jums un jūsu pētījumiem.

Saistītie produkti